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Journal of the Korean Chemical Society (JKCS)

ISSN 1017-2548(Print)
ISSN 2234-8530(Online)
Volume 44, Number 3
JKCSEZ 44(3)
June 20, 2000 

 
Title
Determination of Metal Impurities at Near Surface of Silicon Wafer by Etching Method

에칭법을 이용한 실리콘 웨이퍼 표면 근처에서의 금속 불순물의 정량
Author
Young-Hoon Kim*, Hye-Young Chung, Hyo-Yong Cho, Bo-Young Lee, Hak-Do, Yoo

김영훈, 정혜영, 조효영, 이보영, 유학도
Keywords
Abstract
실리콘 웨이퍼를 일정한 두께로 에칭하여 실리콘 웨이퍼 표면 근처의 특정영역에 존재하는 금속불순물을 정량하였다. HF와 HNO3의 부피비를 1:3으로 혼합한 용액 5mL로 2O분간 실리콘 웨이퍼와 반응 시켰을 때 1 ㎛ 두께로 웨이퍼 전면을 균일하게 에칭할 수 있었다. 에칭 후, 용액을 중발하기 위해 마이크로파 오븐을 사용하였는데 증발과정에서 spike한 Cu, Ni, Zn, Cr, Mg 및 K의 회수율은 99∼105%였다,Cu를 오염시킨 epitaxial 실리콘 웨이퍼의 경우 에칭법으로 전처리를 하여 ICP·MS로 측정한 결과, Cu는 뒷면의 표면으로부터 1∼2㎛ 안의 polysilicon영역에 집중적으로 분포하였고 Cu 농도를 1㎛두께의 범위에서 정량할 수 있었다.

The metal impurities in specific regions at near surface of silicon wafer were determined by constant depth etching·lt is possible to etch uniformly over the entire wafer surface by 1㎛ depth with 5 mL of etching solution made up of HF and HNO3 mixed by l:3 volume ratio. The microwave oven was used to evaporate the solution after etching. After spiking, The recoveries of Cu, Ni, Zn, Cr, Mg and K were found to be 99∼105%ted in polysilicon region and could be quantified by 1㎛ depth

Page
200 - 206
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