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Journal of the Korean Chemical Society (JKCS)

ISSN 1017-2548(Print)
ISSN 2234-8530(Online)
Volume 39, Number 3
JKCSEZ 39(3)
June 20, 1995 

 
Title
Nonstoichiometry of the Tungsten Oxide

산화 텅스텐의 비화학량론
Author
Kwang Hyun Ryu, Eung Ju Oh, Keu Hong Kim, Chul Hyun Yo

유광현, 오응주, 김규홍, 여철현
Keywords
Abstract
비화학량론적 산화물 WO3-x의 비화학량 x값과 전기전도도를 350~700℃의 온도 범위와 2×10-1~1×10-5 atm의 산소분압 범위에서 측정하였다. 비화학량론적 조성식에서 x의 생성엔탈피 ΔH。f가 양의 값을 가지는 것으로 보아 결함생성은 흡열 과정이고, 결함생성의 산소분압 의존성인 1/n값은 -1/5.7~-1/6.1로 변하였다. 전기전도도의 활성화에너지는 각 산소분압에 따라 0.24~0.29eV이었고, 전기전도도의 산소분압 의존성인 1/n은 -1/4.3~-1/7.6의 값을 나타내었다. 이로부터 n형 반도체로써 산화텅스텐의 결함모델은 낮은 온도에서는 1가로 하전된 산소공위가 우세하지만 온도가 상승함에 따라 2가로 하전된 산소공위가 우세해진다.

The x values and electrical conductivities of the nonstoichiometric compounds WO3-x have been measured in the temperature range from 350 to 700℃ under oxygen partial pressure of 2×10-1 to 1×10-5 atm. The enthalpy of the defect formation shows an endothermic process, and the oxygen pressure dependence of the defect formation or 1/n varies from - 1/5.2 to - 1/5.9. The activation energy and 1/n value for the electrical conductivity are 0.24~0.29 eV and - 1/4.3~ - 1/7.6, respectively. The Tungsten Oxide as a n-type semiconductor has predominently defect model of singly charged oxygen vacancy at low temperature, and of doubly charged oxygen vacancy at high temperature.

Page
157 - 162
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