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Journal of the Korean Chemical Society (JKCS)

ISSN 1017-2548(Print)
ISSN 2234-8530(Online)
Volume 28, Number 3
JKCSEZ 28(3)
June 20, 1984 

 
Title
Defect Structure and Electrical Conduction Mechanism of Yttrium Sesquioxide

산화이트륨의 결함구조 및 전기전도 메카니즘
Author
Keu Hong Kim, Sung Ho Park, Jae Shi Choi

김규홍, 박성호, 최재시
Keywords
Abstract
산화이트륨의 전기전도도를 1 × 10-5 ~ 2 × 10-1atm의 산소분압과 650 ~ 1050℃의 온도에서 산소분압 및 온도의 함수로 측정하였다. 일정한 산소분압에서 측정된 전기전도도 값을 온도의 역수에 대하여 도시한 결과, 온도 의존성이 적은 영역과 큰 영역이 나타났으며, 온도 의존성이 큰 영역은 두 개의 각기 다른 결함구조를 보여주었다. 전기전도도의 산소분압 의존성은 850~950℃에서 σ∝PO21/6, 950~1050℃에서 σ∝PO23/16이며 650~800℃에서 σ∝PO21/7.5 ~ σ∝PO21/8.3이다. σ∝PO21/6인 영역에서의 detect는 Oi"이며 σ∝PO23/16인 영역에서의 detect는 VM'''이다. 고온영역에서의 carrier type은 electron hole이며 저온영역에서는 이온성의 기여도가 있다.

The electrical conductivity of p-type yttrium sesquioxide has been measured as a function of temperature and of oxygen partial pressure at temperatures from 650 to 1050℃ and oxygen partial pressures from 1 × 10-5 to 2 × 10-1atm. Plots of log conductivity vs. 1/T at constant oxygen partial pressures are found to be linear with low-and high-temperature dependences of conductivity. The high-temperature dependence of conductivity shows two different defect structures. The plots of log conductivity vs. log PO2 are found to be linear at PO2's of 10-5 to 10-1 atm. The electrical conductivity dependences on PO2 are found to be σ∝PO21/6 at 850~950℃, σ∝PO23/16 at 950~1050℃ and σ∝PO21/7.5 ~ σ∝PO21/8.3 at 650~800℃, respectively. The defect structures are Oi" at 850~950℃ and VM''' at 950~1050℃. The electron hole is main carrier type, however, ionic contribution is found at lower temperature portion.

Page
149 - 154
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