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Journal of the Korean Chemical Society (JKCS)

ISSN 1017-2548(Print)
ISSN 2234-8530(Online)
Volume 58, Number 1
JKCSEZ 58(1)
February 20, 2014 

Growth Kinetics and Electronic Properties of Passive Film of Nickel in Borate Buffer Solution

Borate 완충용액에서 니켈 산화피막의 생성 과정과 전기적 성질
Younkyoo Kim*

니켈, 부식, 부동화, p-형 반도체, Mott-Schottky , Nickel, Corrosion, Passivation, p-Type semiconductor, Mott-Schottky
Borate 완충용액에서 Ni의 부동화 피막의 생성과정(growth kinetics)과 부동화 피막의 전기적 성질을 변전위법, 대 시 간 전류법 그리고 단일 주파수 또는 다중 주파수 전기화학적 임피던스 측정법으로 조사하였다. 이때 생성되는 산화피막은 Mott-Schottky 식이 적용되는 p-형 반도체 성질을 보였으며, 낮은 전극전위에서 생성되는 Ni의 부동화 피막 Ni(OH)2는 전극 전위가 증가하면서 NiO, NiO(OH)로 변화되는 것을 알 수 있었다.

In a borate buffer solution, the growth kinetics and the electronic properties of passive film on nickel were investigated, using the potentiodynamic method, chronoamperometry, and single- or multi-frequency electrochemical impedance spectroscopy. The oxide film formed during the passivation process of nickel has showed the electronic properties of p-type semiconductor, which follow from the Mott-Schottky equation. It was found out that the passive film (Ni(OH)2) of Ni formed in the low electrode potential changes to NiO and NiO(OH) while the electrode potential increases.

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